laosege 宏光半导体午后飙升近200% GaN本领抓续冲破 公司正发展第三代半导体产业GaN新业务

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　　宏光半导体(06908)午后飙升近200%laosege，截止发稿，涨177.11%，报1.15港元，成交额6918.97万港元。

　　音信面上，9月11日，英飞凌秘书已成效开辟出环球首项12英寸氮化镓功率半导体晶圆本领。相较于8英寸，12英寸晶圆芯片数目加多了2.3倍，效果显豁提高。由于GaN和硅的制造工艺至极通常，12英寸GaN本领可欺诈现存的12英寸硅制造成立，在现存硅出产线相宜试产，最终使得GaN与硅的老本有时抓平。左证Trendforce数据，2030年环球GaN功率器件阛阓限度有望增至44亿好意思元，23-30年CAGR达49%。

　　据悉，宏光半导体在2024年上半年功绩敷陈中暗示，集团员焦发展第三代半导体业务，旨在为客户提供在动力效益上更高效果及竞争力的惩处决议。夙昔一年，宏光半导体的团队努力发展第三代半导体产业GaN新业务，加强中枢成立及各项研发和出产配套，包括擢升位于中国江苏省徐州经济本领开辟区的半导体工场。当今，本集团已在徐州厂房内装配两条用作出产包括GaN讨论居品的外延片出产线，并依然完成成立装配和出产调试，具备外延片出产条款。而早前从欧洲和日本引入的核神思器经已运抵徐州厂房，并已准备就绪制造相投阛阓需要的芯片。

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